SI2301S دیتاشیت

SI2301S

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2301S
حجم فایل 80.377 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت SI2301S

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

SI2301S 5 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BORN SI2301S
  • Power Dissipation (Pd): 1W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 2.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 210mΩ@2.5V,1A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: BORN
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 800pC@4.5V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 330pF@10V
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 45pF@10V

محصولات مشابه